Thyristor smachd ìre (seòrsa alloying)

Tuairisgeul:

Tha Thyristor, ris an canar cuideachd Silicon Control Rectifier (SCR), na inneal semiconductor àrd-chumhachd anns a bheil trì structaran PN.A thaobh coileanadh, chan e a-mhàin gu bheil giùlan aon-stiùiridh aig an thyristor, ach cuideachd tha smachd nas luachmhoire aige na an eileamaid rectifier silicon, anns nach eil ach dà staid giùlain agus far-stàite, gus smachd a chumail air cumhachd mòr le cumhachd beag, leudachadh cumhachd suas ri ceudan no mìltean de thursan.Tha am freagairt gu math luath, a’ tionndadh air agus dheth ann am meanbh-diogan.Obrachadh neo-conaltraidh, gun sradagan, gun fhuaim, fhad ‘s a tha èifeachdas àrd agus cosgais ìosal.Mar sin, gu sònraichte ann an siostam solarachaidh cumhachd àrd, chaidh thyristor a chleachdadh gu farsaing ann an cuairteachadh ceartachaidh, tionndadh seach-rathad statach, tionndadh toraidh gun cheangal agus cuairtean eile.

Chaidh inbhe saothrachadh thyristor agus teicneòlas giullachd RUNAU Electronics a thoirt a-steach bho na SA bho 1980n, mar thùsaire saothrachadh thyristor ann an Sìona, bha sgioba teignigeach RUNAU air an eòlas ùr-nodha agus eòlas saothrachaidh gu leòr fhaighinn airson còrr air 30 bliadhna.Air bunait pròiseas saothrachaidh traidiseanta, bha na teicneòlaichean tàlant aig RUNAU Electronics air an teicneòlas ealain-stàite ann an saothrachadh thyristor a leasachadh le feartan buannachd de thoraidhean Eòrpach, tha càileachd agus coileanadh air an leasachadh gu mòr, tha barrachd bhuannachdan mòra air a choileanadh ann an cleachdadh electronics cumhachd raointean, agus chaidh barrachd luach a chruthachadh airson com-pàirtichean.

Ro-ràdh:

1. Sliochd

Tha a’ chip thyristor a rinn RUNAU Electronics air a chleachdadh le teicneòlas alloying sintered.Chaidh an wafer silicon agus molybdenum a chuir a-steach airson a bhith air a cho-thaobhadh le alùmanum fìor-ghlan (99.999%) fo àrainneachd falamh àrd agus teòthachd àrd.Is e rianachd feartan sintering am prìomh fheart a bheir buaidh air càileachd thyristor.Chaidh eòlas RUNAU Electronics a bharrachd air a bhith a’ riaghladh doimhneachd snaim alloy, rèidh uachdar, cuas alloy a bharrachd air làn sgil sgaoilidh, geata sa mheadhan, pàtran cearcall fàinne a chuir an sàs gus gnìomhachd giùlain earbsach agus àrd èifeachdach de thyristor a chomasachadh, gus dèanamh cinnteach à coileanadh àrd-inbhe.

2. Encapsulation

Le bhith a’ cumail smachd teann air rèidh agus co-shìnteachd wafer molybdenum agus pasgan a-muigh, bidh a’ chip agus wafer molybdenum air am filleadh a-steach gu teann agus gu tur leis a’ phacaid a-muigh.Nì an leithid seo an ìre as àirde de dh’ ionnsaigh sruth surge agus sruth cuairt ghoirid àrd.Agus chaidh teicneòlas falmhachaidh dealanach a thomhas gus film tiugh alùmanum a chruthachadh air uachdar wafer silicon, agus cuiridh còmhdach ruthenium air a plastadh air uachdar molybdenum gu mòr ri strì an aghaidh sgìths teirmeach, thèid ùine beatha obrach thyristor a mheudachadh gu mòr.

Sònrachadh teicnigeach

1. Thyristor fo smachd ìre le chip seòrsa alloy air a dhèanamh le RUNAU Electronics, raon de I_TAVbho 300A gu 6000A agus V_DRM/V_RRMbho 800V gu 4400V.
2. I_GT, v_GTagus mi_Ha bheil na luachan deuchainn aig 25 ℃, mura h-eilear ag ràdh a chaochladh, is e na paramadairean eile na luachan deuchainn fo T_jm;
3. I²t = mi²F SM × tw / 2, tw = leud bonn gnàthach leth tonn sinusoidal.Aig 50 Hz, I²t=0.005i²FSM (a²S);
4. Aig 60 Hz: I_FSM(8.3ms)=mi_FSM(10ms) × 1.066, T_j=T_j;mi²t(8.3ms) = I²t (10ms) × 0.943, T_j=T_jm

Paramadair: