SGRÙDADH AGUS PACKAGE DE ZW SERIES WELDING DIODE
Modhan deuchainn agus riaghailtean sgrùdaidh
1. Sgrùdadh baidse le baidse (sgrùdadh Buidheann A)
Bu chòir sgrùdadh a dhèanamh air gach baidse de thoraidhean a rèir Clàr 1, agus tha a h-uile nì ann an Clàr 1 neo-sgriosail.
Clàr 1 Sgrùdadh gach Baidse
| Buidheann | SgrùdadhNì | Modh sgrùdaidh | Slat-tomhais | AQL (Ⅱ) |
| A1 | Coltas | Sgrùdadh lèirsinneach (fo chumhachan solais is lèirsinn àbhaisteach) | Tha an suaicheantas soilleir, tha còmhdach uachdar agus plating saor bho fheannadh agus milleadh. | 1.5 |
| A2a | Feartan dealain | 4.1 (25 ℃), 4.4.3 (25 ℃) ann an JB / T 7624-1994 | Polarity air a thionndadh air ais:VFM>10USL IRRM>100USL | 0.65 |
| A2b | VFM | 4.1 (25 ℃) ann an JB/T 7624-1994 | Gearan ri riatanasan | 1.0 |
| IRRM | 4.4.3 (25 ℃, 170 ℃) ann an JB/T 7624-1994 | Gearan ri riatanasan | ||
| Nota: Is e USL an luach crìche as àirde. | ||||
2. Sgrùdadh bho àm gu àm (sgrùdadh Buidheann B agus Buidheann C)
A rèir Clàr 2, bu chòir na toraidhean deireannach ann an cinneasachadh àbhaisteach a bhith air an sgrùdadh gach bliadhna co-dhiù aon bhaidse de Bhuidheann B agus Buidheann C, agus tha na nithean sgrùdaidh comharraichte le (D) nan deuchainnean millteach.Ma tha an sgrùdadh tùsail gun teisteanas, faodar samplachadh a bharrachd ath-sgrùdadh a rèir Clàr Pàipear-taice A.2, ach dìreach aon turas.
Clàr 2 Sgrùdadh Ùine (Buidheann B)
| Buidheann | SgrùdadhNì | Modh sgrùdaidh | Slat-tomhais | Plana samplachaidh | |
| n | Ac | ||||
| B5 | Rothaireachd teòthachd (D) air a leantainn le seulachadh |
| Tomhas às deidh deuchainn:VFM≤1.1USL IRRM≤2USL chan eil aoidionachd | 6 | 1 |
| CRRL | Thoir geàrr-chunntas air buadhan buntainneach gach buidheann, an VFM agus miRRMluachan ro agus às deidh an deuchainn, agus co-dhùnadh na deuchainn. | ||||
3. Sgrùdadh aithneachaidh (sgrùdadh buidheann D)
Nuair a thèid an toradh a chrìochnachadh agus a chuir a-steach do mheasadh toraidh, a bharrachd air na sgrùdaidhean buidhne A, B, C, bu chòir an deuchainn buidheann D a dhèanamh cuideachd a rèir Clàr 3, agus tha na nithean sgrùdaidh a tha air an comharrachadh le (D) nan deuchainnean millteach.Bithear a’ dèanamh deuchainn air cinneasachadh àbhaisteach de thoraidhean crìochnaichte co-dhiù aon bhaidse de Bhuidheann D gach trì bliadhna.
Ma dh’ fhailicheas a’ chiad sgrùdadh, faodar samplachadh a bharrachd ath-sgrùdadh a rèir Clàr Pàipear-taice A.2, ach dìreach aon turas.
Clàr 3 Deuchainn Aithneachaidh
| No | Buidheann | SgrùdadhNì | Modh sgrùdaidh | Slat-tomhais | Plana samplachaidh | |
| n | Ac | |||||
| 1 | D2 | Deuchainn luchdan cearcall teirmeach | Uairean rothaireachd: 5000 | Tomhas às deidh deuchainn: VFM≤1.1USL IRRM≤2USL | 6 | 1 |
| 2 | D3 | Clisgeadh no crith | 100g: cùm 6ms, cruth tonn leth-sìne, dà stiùireadh de 3 tuaghan ceart-cheàrnach, 3 tursan anns gach taobh, 18 tursan gu h-iomlan.20g: 100 ~ 2000Hz, 2h gach taobh, iomlan 6h. | Tomhas às deidh deuchainn: VFM≤1.1USL IRRM≤2USL | 6 | 1 |
| CRRL | Thoir geàrr-chunntas air an dàta buadhan buntainneach de gach buidheann, an VFM , IRRMagus miDRMluachan ro agus às deidh an deuchainn, agus co-dhùnadh na deuchainn. | |||||
A 'comharrachadh agus a' pacadh
1. Marc
Tha 1.1 Comharradh air an toradh a’ toirt a-steach
1.1.1 Àireamh toraidh
1.1.2 Comharradh crìochnachaidh
1.1.3 Ainm companaidh no comharra-malairt
1.1.4 Còd aithneachaidh crann sgrùdaidh
1.2 Suaicheantas air a’ chartan no an stiùireadh ceangailte
1.2.1 Modail toraidh agus àireamh àbhaisteach
1.2.2 Ainm agus suaicheantas na companaidh
1.2.3 Soidhnichean dìon-taise agus dìon-uisge
1.3 Pasgan
Bu chòir riatanasan pacaidh toraidh cumail ri riaghailtean dachaigheil no riatanasan teachdaiche
1.4 Sgrìobhainn toraidh
Bu chòir modal toraidh, àireamh àbhaisteach buileachaidh, riatanasan coileanaidh dealain sònraichte, coltas, msaa a bhith air an ainmeachadh air an sgrìobhainn.
Tha andiode tàthaidhair a thoirt a-mach le Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor air a chuir an sàs gu farsaing ann an welder an aghaidh, inneal tàthaidh tricead meadhanach agus àrd suas gu 2000Hz no nas àirde.Le bholtaids stùc air adhart ultra-ìosal, strì an aghaidh teirmeach ultra-ìosal, teicneòlas cinneasachaidh ùr-nodha, comas ionaid sàr-mhath agus coileanadh seasmhach airson luchd-cleachdaidh cruinneil, is e an diode tàthaidh bho Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor aon de na h-innealan as earbsaiche ann an cumhachd Shìona bathar semiconductor.